Disclosed is an in-situ process that prevents pattern collapse from
occurring after they have been etched in S02-containing plasmas. The
developed process involving treating the etched wafer to another plasma
comprising of a chemically reducing gas such as H.sub.2. This treatment
chemically reduces the hygroscopic sulfites/sulfates left on the surface
after the main etch step. The lower sulfite/sulfate concentration on the
wafer translates into considerably less moisture pick up and prevents high
aspect ratio feature collapse.
È rilevato un processo in situ che impedisce il crollo del modello l'avvenimento dopo che siano stati incisi nei plasmi di S02-containing. Il processo sviluppato che coinvolge trattando la cialda incisa ad un altro plasma che contiene un gas chimicamente di riduzione quale H.sub.2. Questo trattamento chimicamente riduce il sulfites/sulfates igroscopico a sinistra sulla superficie dopo il punto principale incissione all'acquaforte. La concentrazione più bassa di sulfite/sulfate sulla cialda traduce in considerevolmente meno umidità prende ed impedisce l'alto crollo della caratteristica di allungamento.
