Nanopore chip with N-type semiconductor

   
   

An apparatus and method for making a nanopore chip exhibiting one of low photosensitivity, low electrical noise, and low electrical drift. The apparatus provides a thin insulating diaphragm containing a nanopore, the diaphragm being supported on a rigid semiconductor frame, the semiconductor frame having N-type doping in those regions which are to be capacitively coupled to an ionic solution. Also disclosed is a method of making the apparatus.

Un matériel et une méthode pour faire un nanopore ébrèchent exhiber un de basse photosensibilité, de bas bruit électrique, et de basse dérive électrique. L'appareil fournit un diaphragme isolant mince contenant un nanopore, le diaphragme étant soutenu sur une armature rigide de semi-conducteur, l'armature de semi-conducteur ayant le N-type enduire dans ces régions qui doivent être capacitively couplées à une solution ionique. En outre révélée est une méthode de la fabrication de l'appareil.

 
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