A light emitting device 100 has a structure in which a p type InGaAs layer
7 as an electrode contact layer and an ITO electrode layer 8 as an oxide
transparent electrode layer are formed in the order in a first major
surface 17 side of a light emitting layer section 24. In a second major
surface 18 side of the light emitting layer section 24, an n type InGaAs
layer 9 as an electrode contact layer and an ITO electrode layer 10 as an
oxide transparent electrode layer are formed in the order. The ITO
electrode layers 8 and 10 together with the p type InGaAs layer 7 and the
n type InGaAs layer 9 are formed on the respective both major surfaces 17
and 18 of the light emitting layer section 24 so as to cover the
respective both major surfaces 17 and 18 in the entirety thereof.
Un dispositivo que emite ligero 100 tiene una estructura en la cual un tipo capa 7 de p de InGaAs como una capa y una capa 8 del contacto del electrodo del electrodo de ITO como capa transparente del electrodo del óxido se forman en la orden en un primer lado importante de la superficie 17 de una sección ligera 24 de la capa que emite. En un segundo lado importante de la superficie 18 de la sección ligera 24 de la capa que emite, un tipo capa 9 de n de InGaAs como una capa y una capa 10 del contacto del electrodo del electrodo de ITO como capa transparente del electrodo del óxido se forman en la orden. El electrodo de ITO acoda 8 y 10 junto con el tipo capa 7 de p de InGaAs y el tipo capa 9 de n de InGaAs se forman en el respectivo ambas superficies importantes 17 y 18 de la sección ligera 24 de la capa que emite para cubrir el respectivo ambas superficies 17 y 18 del comandante en la totalidad de eso.
