A quarter wavelength transmission line is provided between a signal
transmission line for transmitting a high frequency signal and a ground
node. The quarter wavelength transmission line has a length equal to a
quarter of an effective wavelength of an operation frequency of a
semiconductor device. A surge absorbing element is connected between the
quarter wavelength transmission line and an internal circuit. The signal
transmission line is coupled to the internal circuit through a capacitor.
A clamp circuit is provided between a power supply line and a ground line.
The clamp circuit clamps the voltage difference between the power supply
line and the ground line to a prescribed voltage level or less. A high
frequency semiconductor device is thus implemented which is capable of
preventing breakdown of an internal circuit element due to an
electrostatic discharge phenomenon (ESD) without degrading high frequency
characteristics.
Una línea cuarta de la transmisión de la longitud de onda se proporciona entre una línea de la transmisión de la señal para transmitir una señal de alta frecuencia y un nodo de tierra. La línea cuarta de la transmisión de la longitud de onda tiene una longitud igual a un cuarto de una longitud de onda eficaz de una frecuencia de la operación de un dispositivo de semiconductor. Un elemento absorbente de la oleada está conectado entre la línea cuarta de la transmisión de la longitud de onda y un circuito interno. La línea de la transmisión de la señal se junta al circuito interno a través de un condensador. Un circuito de la abrazadera se proporciona entre una línea de la fuente de alimentación y una línea de tierra. El circuito de la abrazadera afianza la diferencia del voltaje con abrazadera entre la línea de la fuente de alimentación y la línea de tierra a un nivel voltaico prescrito o menos. Un dispositivo de semiconductor de alta frecuencia se pone en ejecucio'n así que es capaz de prevenir la interrupción de un elemento de circuito interno debido a un fenómeno electrostático de la descarga (ESD) sin características de alta frecuencia que degradan.
