An Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N layer 2 is formed on a silicon substrate 1 in
a striped or grid pattern. A GaN layer 3 is formed in regions A where the
substrate 1 is exposed and in regions B which are defined above the layer
2. At this time, the GaN layer grows epitaxially and three-dimensionally
(not only in a vertical direction but also in a lateral direction) on the
Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N layer 2. Since the GaN layer grows epitaxially
in the lateral direction as well, a GaN compound semiconductor having a
greatly reduced number of dislocations is obtained in lateral growth
regions (regions A where the substrate 1 is exposed).
Una capa 2 de Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N se forma en un substrato 1 del silicio en un patrón rayado o de rejilla. Una capa 3 de GaN se forma en las regiones A donde se expone el substrato 1 y en las regiones B que se definen sobre la capa 2. en este tiempo, la capa de GaN crece epitaxially y three-dimensionally (no solamente en una dirección vertical pero también en una dirección lateral) en la capa 2 de Al.sub.0.15 Ga.sub.0.85 N. Puesto que la capa de GaN crece epitaxially en la dirección lateral también, un semiconductor compuesto de GaN que tiene un número grandemente reducido de dislocaciones se obtiene en las regiones laterales del crecimiento (las regiones A donde se expone el substrato 1).
