A sophisticated and highly reliable high-frequency Si-MOS semiconductor
device having high electrostatic discharge (ESD) resistance. Lateral
polysilicon diodes are connected between high-frequency I/O signal lines
and the external supply voltage, VDD, and between the ground, GND, and the
high-frequency I/O signal lines, respectively. The forward direction of
the diodes is the direction from the high-frequency I/O signal line to the
supply voltage, VDD, and the direction from the ground, GND, to the
high-frequency I/O signal line, respectively.
Изощренный и высоки надежный высокочастотный прибора на полупроводниках Кремни-si-MOS имея высокое электростатическое сопротивление разрядки (ESD). Боковые диоды polysilicon соединены между высокочастотными сигнальными линиями I/O и внешнего блка напряжения, VDD, и между землей, землей, и высокочастотными сигнальными линиями I/O, соответственно. Передним направлением диодов будет направление от высокочастотной сигнальной линии I/O к блка напряжения, VDD, и направлению от земли, земле, к высокочастотной сигнальной линии I/O, соответственно.
