Disclosed is a semiconductor integrated circuit realizing improved
operating speed, reduced power consumption in an active mode, reduced
power consumption in a standby mode, and reduced area of a chip. A first
logic gate using a first pair of potentials VDDL, VSSL having a relatively
small potential difference as an operation power source and a second logic
gate using a second pair of potentials VDDH, VSSH having a relatively
large potential difference as an operation power source commonly use
substrate potentials VBP, VBN of MIS transistors. The second logic gate
has a relatively high driving capability, and the first logic gate can
operate on relatively low power. The MIS transistor has a threshold
voltage which increases by a reverse substrate bias and decreases by a
forward substrate bias. By commonly using the substrate potential, even in
the case where different substrate bias states are generated at both of
the logic gates, MOS transistors of the logic gates can be formed in the
common well region.
Показана цепь полупроводника интегрированная осуществляя улучшенный скорости обработки, уменьшенный расхода энергии в активно режиме, уменьшенный расхода энергии в запасном режиме, и уменьшенная зону обломока. Первый строб логики использующ первую пару потенциалов VDDL, VSSL имея относительно малую потенциальную разницу как источник питания деятельности и второй строб логики использующ вторую пару потенциалов VDDH, VSSH имея относительно большую потенциальную разницу как потенциалы VBP субстрата пользы источника питания деятельности общ, VBN транзисторов mis. Второй строб логики имеет относительно высокую управляя возможность, и первый строб логики может привестись в действие дальше относительно низкую силу. Транзистор mis имеет напряжение тока порога увеличения обратным субстратом склоняют и уменьшает передним смещением субстрата. общим использованием потенциала субстрата, выровняйтесь в случае где по-разному положения смещения субстрата произведены на обоих из стробов логики, транзисторах mos стробов логики смогите быть сформировано в зоне добра общего.
