A semiconductor device having a dielectric layer formed between a first and
a second conductive layer. The dielectric layer comprising a layer of
silicon oxide SiO.sub.X.ltoreq.2, having a dielectric constant greater
than about 3.9 and less than or equal to about 12.
Ein Halbleiterelement, das eine dielektrische Schicht gebildet zwischen einer ersten und zweiten leitenden Schicht hat. Die dielektrische Schicht, die eine Schicht vom Silikonoxid SiO.sub.X.ltoreq.2, eine Dielektrizitätskonstante grösser als ungefähr 3.9 und kleiner als oder Gleichgestelltes bis ungefähr 12 habend enthält.
