There is disclosed a photoelectric conversion device which is manufactured
by depositing numerous crystalline semiconductor particles of one
conductivity type on a substrate having an electrode of one side to join
the crystalline semiconductor particles to the substrate, interposing an
insulator among the crystalline semiconductor particles, forming a
semiconductor layer of the opposite conductivity type over the crystalline
semiconductor particles, and connecting an electrode to the semiconductor
layer of the opposite conductivity type, in which the insulator comprises
a mixture or reaction product of polysiloxane and polycarbosilane. The
insulator interposed among the crystalline semiconductor particles is free
from defects such as cracking and peeling, so that a low cost
photoelectric conversion device with high reliability can be provided.
Er onthuld een foto-elektrisch omzettingsapparaat wordt dat door talrijke kristallijne halfgeleiderdeeltjes van één geleidingsvermogentype op een substraat vervaardigd wordt te deponeren dat een elektrode die van één kant heeft om zich bij de kristallijne halfgeleiderdeeltjes aan het substraat aan te sluiten, een isolatie onder de kristallijne halfgeleiderdeeltjes invoegt, een halfgeleiderlaag van het tegenovergestelde geleidingsvermogentype vormt meer dan de kristallijne halfgeleiderdeeltjes, en een elektrode verbindt met de halfgeleiderlaag van het type van tegengesteldegeleidingsvermogen, waarin de isolatie uit een mengsel of uit een reactieproduct van polysiloxane en polycarbosilane bestaat. De isolatie die onder de kristallijne halfgeleiderdeeltjes is wordt ingevoegd vrij van tekorten zoals het barsten en het pellen, zodat een apparaat van de lage kosten foto-elektrisch omzetting met hoge betrouwbaarheid kan worden verstrekt.
