There is provided a magnetoresistance effect element including a first
pinned ferromagnetic layer, a second pinned ferromagnetic layer facing the
first pinned ferromagnetic layer, surface regions of the first and second
pinned ferromagnetic layer facing each other being different from each
other in composition, a free ferromagnetic layer intervening between the
first and second pinned ferromagnetic layers, a first tunnel barrier layer
intervening between the first pinned ferromagnetic layer and the free
ferromagnetic layer, and a second tunnel barrier layer intervening between
the second pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer.
Παρέχεται ένα magnetoresistance στοιχείο επίδρασης συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος, ένα δεύτερο καρφωμένο σιδηρομαγνητικό στρώμα που αντιμετωπίζει το πρώτο καρφωμένο σιδηρομαγνητικό στρώμα, περιοχές επιφάνειας του πρώτου και δεύτερου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος που αντιμετωπίζουν το ένα το άλλο που είναι διαφορετικό το ένα από το άλλο στη σύνθεση, ένα ελεύθερο σιδηρομαγνητικό στρώμα που επεμβαίνουν μεταξύ των πρώτων και δεύτερων καρφωμένων σιδηρομαγνητικών στρωμάτων, ένα πρώτο στρώμα εμποδίων σηράγγων που επεμβαίνουν μεταξύ του πρώτου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος και το ελεύθερο σιδηρομαγνητικό στρώμα, και ενός δεύτερου στρώματος εμποδίων σηράγγων που επεμβαίνει μεταξύ του δεύτερου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος και του ελεύθερου σιδηρομαγνητικού στρώματος.