Ferromagnetic double tunnel junction element with asymmetric energy band

   
   

There is provided a magnetoresistance effect element including a first pinned ferromagnetic layer, a second pinned ferromagnetic layer facing the first pinned ferromagnetic layer, surface regions of the first and second pinned ferromagnetic layer facing each other being different from each other in composition, a free ferromagnetic layer intervening between the first and second pinned ferromagnetic layers, a first tunnel barrier layer intervening between the first pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer, and a second tunnel barrier layer intervening between the second pinned ferromagnetic layer and the free ferromagnetic layer.

Παρέχεται ένα magnetoresistance στοιχείο επίδρασης συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος, ένα δεύτερο καρφωμένο σιδηρομαγνητικό στρώμα που αντιμετωπίζει το πρώτο καρφωμένο σιδηρομαγνητικό στρώμα, περιοχές επιφάνειας του πρώτου και δεύτερου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος που αντιμετωπίζουν το ένα το άλλο που είναι διαφορετικό το ένα από το άλλο στη σύνθεση, ένα ελεύθερο σιδηρομαγνητικό στρώμα που επεμβαίνουν μεταξύ των πρώτων και δεύτερων καρφωμένων σιδηρομαγνητικών στρωμάτων, ένα πρώτο στρώμα εμποδίων σηράγγων που επεμβαίνουν μεταξύ του πρώτου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος και το ελεύθερο σιδηρομαγνητικό στρώμα, και ενός δεύτερου στρώματος εμποδίων σηράγγων που επεμβαίνει μεταξύ του δεύτερου καρφωμένου σιδηρομαγνητικού στρώματος και του ελεύθερου σιδηρομαγνητικού στρώματος.

 
Web www.patentalert.com

< Device and method for detecting synchronization patterns in CD-ROM media

< Method for making perpendicular magnetic recording head having inverted trapezoidal main magnetic pole layer

> Inner-force providing input device having a power-operated actuator for generating a click feel

> Video cassette recorder

~ 00153