Group III nitride compound semiconductor light-emitting device which emits light having a wavelength in a range from 360 to 550 NM

   
   

In a group III nitride compound semiconductor light-emitting device, a light-emitting layer having a portion where an InGaN layer is interposed between AlGaN layers on both sides thereof is employed. By controlling the thickness, growth rate and growth temperature of InGaN layer which is a well layer and the thickness of AlGaN layer which is a barrier layer so that they are optimized, the output of the light-emitting device is enhanced.

Σε μια ομάδα ΙΙΙ εκπέμπουσα φως συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων η σύνθετη, ένα εκπέμπον φως στρώμα που έχει μια μερίδα όπου ένα στρώμα InGaN παρεμβάλλεται μεταξύ των στρωμάτων AlGaN και στις δύο πλευρές υιοθετείται επ' αυτού. _ με ελέγχω ο πάχος, αύξησηποσοστόκαι αύξηση θερμοκρασία ΗνΓαΝ στρώμα που είμαι ένας φρεάτιο στρώμα και ο πάχος ΑλΓαΝ στρώμα που είμαι ένας εμπόδιοστρώμαέτσι ώστε αυτός είμαι βελτιστοποιώ, ο παραγωγή ο εκπέμπων φως συσκευή είμαι ενισχύω.

 
Web www.patentalert.com

< Surfactants that mimic the glycocalyx

< Riser reactor system for hydrocarbon cracking

> Synfuel composition and method of using same

> Brightness enhancement film

~ 00152