A multiple-trench photosensor for use in a CMOS imager having an improved
charge capacity. The multi-trench photosensor may be either a photogate or
photodiode structure. The multi-trench photosensor provides the
photosensitive element with an increased surface area compared to a flat
photosensor occupying a comparable area on a substrate. The multi-trench
photosensor also exhibits a higher charge capacity, improved dynamic
range, and a better signal-to-noise ratio. Also disclosed are processes
for forming the multi-trench photosensor.
Photosensor множественн-wanqa для пользы в imager cmos имея улучшенную емкость обязанности. Photosensor мулти-wanqa может быть или photogate или структурой фотодиода. Photosensor мулти-wanqa обеспечивает фоточувствительный элемент при увеличенная поверхностная область сравненная к плоскому photosensor занимая соответствующую область на субстрате. Photosensor мулти-wanqa также exhibits более высокая емкость обязанности, улучшенный динамический диапазон, и более лучший сигнал-шум коэффициент. Также показаны процессы для формировать photosensor мулти-wanqa.
