A nonvolatile memory cell which is highly scalable includes a cell formed
in a triple well. A select transistor can have a source which also acts as
the emitter of a lateral bipolar transistor. The lateral bipolar
transistor operates as a charge injector. The charge injector provides
electrons for substrate hot electron injection of electrons onto the
floating gate for programming. The cell depletion/inversion region may be
extended by forming a capacitor as an extension of the control gate over
the substrate between the source and channel of said sense transistor.
Uma pilha de memória permanente que seja altamente scalable inclui uma pilha dada forma triplicar-se bem. Um transistor seleto pode ter uma fonte que aja também como o emissor de um transistor bipolar lateral. O transistor bipolar lateral opera-se como um injector da carga. O injector da carga fornece elétrons para a injeção quente do elétron da carcaça dos elétrons na porta flutuando para programar. A região da pilha depletion/inversion pode ser estendida dando forma a um capacitor como uma extensão da porta do controle sobre a carcaça entre a fonte e a canaleta de transistor dito do sentido.
