A silica glass member of the present invention is one wherein when a
composition thereof is expressed by SiO.sub.x, x is not less than 1.85 nor
more than 1.95, wherein a concentration of hydrogen molecules included
therein is not less than 1.times.10.sup.16 molecules/cm.sup.3 nor more
than 5.times.10.sup.18 molecules/cm.sup.3, and wherein a difference A-B
between an absorption coefficient A immediately before an end of
irradiation with 1.times.10.sup.4 pulses of ArF excimer laser light in an
average one-pulse energy density of 2 mJ/cm.sup.2 and a second absorption
coefficient B at 600 seconds after a stop of the irradiation with the ArF
excimer laser light is not more than 0.002 cm.sup.-1. When this silica
glass member is applied to an illumination optical system and/or a
projection optical system in projection exposure apparatus, it becomes
feasible to implement uniform exposure while reducing variation in
illuminance on a reticle surface and in an exposure area on a wafer.
Ένα μέλος γυαλιού πυριτίου της παρούσας εφεύρεσης είναι ένα όπου όταν εκφράζεται μια σύνθεση επ' αυτού από SiO.sub.x, το Χ είναι περισσότερο από 1,85 ούτε περισσότερο από 1,95, όπου μια συγκέντρωση των μορίων υδρογόνου συμπεριλαμβανόμενη εκεί μέσα είναι περισσότερο από μόρια 1.times.10.sup.16/$l*cm.sup.3 ούτε περισσότερο από τα μόρια 5.times.10.sup.18/$l*cm.sup.3, και όπου μια διαφορά αβ μεταξύ ενός συντελεστή Α απορρόφησης αμέσως πριν από ένα τέλος της ακτινοβολίας με τους σφυγμούς 1.times.10.sup.4 excimer ArF του φωτός λέιζερ σε μια μέση ενεργειακή πυκνότητα ένας-σφυγμού 2 mJ/$l*cm.sup.2 και ενός δεύτερου συντελεστή β απορρόφησης σε 600 δευτερόλεπτα μετά από μια στάση της ακτινοβολίας με το excimer ArF φως λέιζερ είναι όχι περισσότερο από 0,002 θμ.σuπ.-1. Όταν αυτό το γυαλί πυριτίου ή/και ένα οπτικό σύστημα προβολής στις συσκευές έκθεσης προβολής, αυτό γίνεται εφικτό να εφαρμόσει την ομοιόμορφη έκθεση μειώνοντας την παραλλαγή στην ένταση φωτισμού σε μια επιφάνεια σταυρονημάτων και σε μια περιοχή έκθεσης σε μια γκοφρέτα.
