Method and structures are provided for conformal capacitor dielectrics over
textured silicon electrodes for integrated memory cells. Capacitor
structures and first electrodes or plates are formed above or within
semiconductor substrates. The first electrodes include hemispherical grain
(HSG) silicon for increasing the capacitor plate surface area. The HSG
topography is then exposed to alternating chemistries to form monolayers
of a desired dielectric material. Exemplary process flows include
alternately pulsed metal organic and oxygen source gases injected into a
constant carrier flow. Self-terminated metal layers are thus reacted with
oxygen. Near perfect step coverage allows minimal thickness for a
capacitor dielectric, given leakage concerns for particular materials,
thereby maximizing the capacitance for the memory cell and increasing cell
reliability for a given memory cell design. Alternately pulsed chemistries
are also provided for depositing top electrode materials with continuous
coverage of capacitor dielectric, realizing the full capacitance benefits
of the underlying textured morphology.
El método y las estructuras se proporcionan para los electrodos textured excedente conformal del silicio de los dieléctricos del condensador para las células de memoria integradas. Las estructuras del condensador y los primeros electrodos o placas se forman sobre o dentro de los substratos del semiconductor. Los primeros electrodos incluyen el silicio hemisférico del grano (HSG) para aumentar el área superficial de la placa del condensador. La topografía de HSG entonces se expone a las químicas que se alternan a los monolayers de la forma de un material dieléctrico deseado. Los flujos de proceso ejemplares incluyen el metal alternativamente pulsado orgánico y los gases de la fuente del oxígeno inyectados en un portador constante fluyen. las capas Uno mismo-terminadas del metal se reaccionan así con oxígeno. Cerca de paso perfecto la cobertura permite el grueso mínimo para un dieléctrico del condensador, dado las preocupaciones de la salida por materiales particulares, de tal modo maximizando la capacitancia para la célula de memoria y aumentando la confiabilidad de la célula para un diseño dado de la célula de memoria. Las químicas alternativamente pulsadas también se proporcionan para depositar los materiales superiores del electrodo de la cobertura continua del dieléctrico del condensador, realizando las ventajas completas de la capacitancia de la morfología textured subyacente.
