Semiconductor device

   
   

In a conventional analog buffer circuit composed of polycrystalline semiconductor TFTs, a variation in the output is large. Thus, a measure such as to provide a correction circuit has been taken. However, there has been such a problem that a circuit and driver operation are complicated. Therefore, a gate length and a gate width of a TFT composing an analog buffer circuit is set to be larger. Also, a multi-gate structure is adopted thereto. In addition, the arrangement of channel regions is devised. Thus, the analog buffer circuit having a small variation is obtained without using a correction circuit, and a semiconductor device having a small variation can be provided.

Em um circuito análogo convencional do amortecedor composto do semicondutor polycrystalline TFTs, uma variação na saída é grande. Assim, uma medida como fornecer um circuito da correção foi feita exame. Entretanto, houve tal problema que uma operação do circuito e do excitador é complicada. Conseqüentemente, um comprimento da porta e uma largura da porta de um TFT que compõe um circuito análogo do amortecedor são ajustados para ser maiores. Também, uma estrutura da multi-porta é adotada a isso. Além, o arranjo de regiões da canaleta é planejado. Assim, o circuito análogo do amortecedor que tem uma variação pequena é obtido sem usar um circuito da correção, e um dispositivo de semicondutor que tem uma variação pequena pode ser fornecido.

 
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< Electro-optical device, method for driving the same, scanning line driving circuit, and electronic equipment

< Semiconductor thin film and semiconductor device

> Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units

> Method of manufacturing nonlinear element, method of manufacturing electrooptic device, electrooptic device, and electronic apparatus

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