A nonvolatile semiconductor memory device configured by a select MOS
transistor provided with a gate insulator film and a select gate
electrode, as well as a memory MOS transistor provided with a capacitor
insulator film comprising a lower potential barrier film, a charge
trapping film, and an upper potential barrier film, as well as a memory
gate electrode. The charge trapping film is formed with a silicon
oxynitride film and the upper potential barrier film is omitted or its
thickness is limited to 1 nm and under to prevent the Gm degradation to be
caused by the silicon oxynitride film, thereby lowering the erasure gate
voltage. The charge trapping film is formed with a silicon oxynitride film
used as a main charge trapping film and a silicon nitride film formed on
or beneath the silicon oxynitride film so as to form a potential barrier
effective only for holes. And, a hot-hole erasing method is employed to
lower the erasure voltage.
Um dispositivo de memória permanente do semicondutor configurarado por um transistor seleto do MOS forneceu com uma película do isolador da porta e um elétrodo de porta seleto, assim como um transistor do MOS da memória fornecido com uma película do isolador do capacitor que compreende uma película mais baixa da barreira potencial, uma película da caça com armadilhas da carga, e uma película superior da barreira potencial, as.well.as um elétrodo de porta da memória. A película da caça com armadilhas da carga é dada forma com uma película do oxynitride do silicone e a película superior da barreira potencial é omitida ou sua espessura é limitada a 1 nm e para impedir abaixo a degradação do Gm a ser causada pela película do oxynitride do silicone, abaixando desse modo a tensão da porta do erasure. A película da caça com armadilhas da carga é dada forma com uma película do oxynitride do silicone usada como uma película principal da caça com armadilhas da carga e uma película do nitride de silicone dadas forma ou abaixo da película do oxynitride do silicone para dar forma a uma barreira potencial eficaz somente para furos. E, um quente-furo que apaga o método é empregado para abaixar a tensão do erasure.
