A silicon-on-insulator substrate is disclosed which comprises: a silicon
substrate layer; a first insulation layer over the silicon substrate
layer; a conductive layer over the first insulation layer comprising at
least one metal or metal silicide over the first insulation layer; a
second insulation layer over the conductive layer; a silicon device layer
comprising silicon over the second insulation layer; and at least one
conductive plug through the silicon substrate layer and the first
insulation layer contacting the conductive layer, or at least one
conductive plug through the silicon device layer and the second insulation
layer contacting the conductive layer. Also disclosed are methods for
making silicon-on-insulator substrates having improved heat transfer
structures.
Ένα υπόστρωμα πυριτίων επί μονωτικού αποκαλύπτεται που περιλαμβάνει: ένα στρώμα υποστρωμάτων πυριτίου ένα πρώτο στρώμα μόνωσης πέρα από το στρώμα υποστρωμάτων πυριτίου ένα αγώγιμο στρώμα πέρα από το πρώτο στρώμα μόνωσης που περιλαμβάνει το τουλάχιστον μια μέταλλο ή μεταλλική ένωση πυριτίου μετάλλων πέρα από το πρώτο στρώμα μόνωσης ένα δεύτερο στρώμα μόνωσης πέρα από το αγώγιμο στρώμα ένα στρώμα συσκευών πυριτίου που περιλαμβάνει το πυρίτιο πέρα από το δεύτερο στρώμα μόνωσης και τουλάχιστον ένα αγώγιμο βούλωμα μέσω του στρώματος υποστρωμάτων πυριτίου και του πρώτου στρώματος μόνωσης που έρχονται σε επαφή με το αγώγιμο στρώμα, ή τουλάχιστον ένα αγώγιμο βούλωμα μέσω του στρώματος συσκευών πυριτίου και του δεύτερου στρώματος μόνωσης που έρχονται σε επαφή με το αγώγιμο στρώμα. Επίσης αποκαλύπτονται οι μέθοδοι για τα υποστρώματα πυριτίων επί μονωτικού βελτιώνοντας τις δομές μεταφοράς θερμότητας.
