A high integrity, reliable liner is disclosed for a via in which a titanium
aluminide layer is preformed as a lining within a via hole prior to
deposition of other conductive materials within the via hole. The
conductive materials deposited on the preformed titanium aluminide can be
either a secondary barrier layer portion of the liner, such as a titanium
compound layer, which in turn has a metal plug deposited thereon, or,
alternatively, a metal plug directly deposited on the titanium aluminide
layer. An important advantage achieved by the present invention is that a
via is formed with a substantial elimination of void formation. The
enhanced vias are useful in a wide variety of semiconductor devices,
including SRAMS and DRAMs.
Une intégrité élevée, recouvrement fiable est révélée pour a par l'intermédiaire de dans ce qu'une couche titanique d'aluminide est préformée comme doublure dans a par l'intermédiaire de trou avant le dépôt d'autres matériaux conducteurs dans par l'intermédiaire du trou. Les matériaux conducteurs déposés sur l'aluminide titanique préformé peuvent être l'un ou l'autre par partie secondaire de couche-barrière du recouvrement, tel qu'une couche composée titanique, qui a alternativement une prise en métal déposée là-dessus, ou, alternativement, une prise en métal directement déposée sur la couche titanique d'aluminide. Un avantage important réalisé par la présente invention est qu'a par l'intermédiaire de est formé avec une élimination substantielle de formation vide. Les vias augmentés sont utiles dans une grande variété de dispositifs de semi-conducteur, y compris SRAMS et drachmes.
