A system (25) for detecting defects in a semiconductor wafer (10), such
defects including voids (V) present in metal conductors (2, 4) and plugs
(7), is disclosed. An x-ray source (20) irradiates the wafer (10) through
a first aperture array (24) having openings (26); a second aperture array
(28) is located on the opposite side of the wafer (10) from the source
(20), and has openings (30) that are aligned and registered with the
openings (26) in the first aperture array (24). An array of x-ray
detectors (31) is located adjacent to the second aperture array (28), with
each detector (31) associated with one of the openings (30) of the second
aperture array (28). The detectors (31) communicate signals regarding the
magnitude of x-ray energy that is transmitted through wafer (10) at
locations defined by the openings (26, 30) through aperture arrays (24,
28), to an analysis computer (34). A wafer translation system (32) indexes
or otherwise moves the wafer (10) between the aperture arrays (24, 28).
The analysis computer (34) generates an x-ray image of the wafer (10) from
the detected x-ray energy, or alternatively compares the detected x-ray
energy at locations of wafer (10) to automatically detect and distinguish
defects.
Um sistema (25) para detectar defects em um wafer de semicondutor (10), tais defeitos including os vácuos (V) atuais em condutores do metal (2, 4) e os plugues (7), são divulgados. Irradiates de uma fonte do raio X (20) o wafer (10) com uma primeira disposição da abertura (24) que tem as aberturas (26); uma segunda disposição da abertura (28) é ficada situada no lado oposto do wafer (10) da fonte (20), e tem as aberturas (30) que são alinhadas e registadas com as aberturas (26) na primeira disposição da abertura (24). Uma disposição de detetores do raio X (31) é ficada situada junto à segunda disposição da abertura (28), com cada detetor (31) associado com uma das aberturas (30) da segunda disposição da abertura (28). Os detetores (31) comunicam os sinais a respeito do valor da energia do raio X que é transmitida através do wafer (10) nas posições definidas pelas aberturas (26, 30) com as disposições da abertura (24, 28), a um computador da análise (34). Os índices do sistema da tradução do wafer um (32) ou movem de outra maneira o wafer (10) entre as disposições da abertura (24, 28). O computador da análise (34) gera uma imagem do raio X do wafer (10) da energia detectada do raio X, ou compara alternativamente a energia detectada do raio X em posições do wafer (10) para detectar e distinguir automaticamente defeitos.
