The present invention describes a method of manufacturing a semiconductor
device, comprising a semiconductor substrate in the shape of a slice, the
method comprising the steps of: step 1) selectively applying a pattern of
a solids-based dopant source to a first major surface of said
semiconducting substrate; step 2) diffusing the dopant atoms from said
solids-based dopant source into said substrate by a controlled heat
treatment step in a gaseous environment surrounding said semi-conducting
substrate, the dopant from said solids-based dopant source diffusing
directly into said substrate to form a first diffusion region and, at the
same time, diffusing said dopant from said solids-based dopant source
indirectly via said gaseous environment into said substrate to form a
second diffusion region in at least some areas of said substrate to form a
second diffusion region in at least some areas of said substrate not
covered by said pattern; and step 3) forming a metal contact pattern
substantially in alignment with said first diffusion region without having
etched said second diffusion region substantially.
Присытствыющий вымысел описывает метод изготовлять прибора на полупроводниках, состоя из субстрата полупроводника в форме ломтика, метода состоя из шагов: раздел 1) селективно прикладывая картину тверд-osnovannogo источника dopant к первой главной поверхности сказанного semiconducting субстрата; раздел 2) отражая атомы dopant от сказанного тверд-osnovannogo источника dopant в сказанный субстрат controlled шагом обработки жары в субстрат газообразной окружающей среды окружающий сказанный semi-conducting, dopant от сказанного тверд-osnovannogo источника dopant отражая сразу в сказанный субстрат для того чтобы сформировать первую зону диффузии и, в то же самое время, отражая сказанный dopant от сказанного тверд-osnovannogo источника dopant косвенно через сказанную газообразную окружающую среду в сказанный субстрат для того чтобы сформировать вторую зону диффузии в по крайней мере некоторых зонах сказанного субстрата для того чтобы сформировать вторую зону диффузии в по крайней мере некоторых зонах сказанного субстрата предусматриванных сказанной картиной; и раздел 3) формируя картину контакта металла существенн in alignment with сказанная первая зона диффузии без вытравлять сказанную вторую зону диффузии существенн.
