The invention relates to a process for manufacturing a light sensor device
in a standard CMOS process, including at least the following phases:
implanting active areas on a semiconductor substrate to obtain at least a
first, a second and a third integrated region of corresponding
photosensors; forming a stack of layers of different thickness and
refractive index layers over the photosensors to provide an interferential
filter for said photosensors. The stack is obtained by a deposition of a
first oxide stack including a first, a second and a third oxide layer over
at least one photosensor; moreover, this third oxide layer is obtained by
a deposition step of an protecting undoped premetal dielectric layer.
De uitvinding heeft op een proces om een licht sensorapparaat betrekking in een standaardcmos te vervaardigen proces, dat minstens de volgende fasen omvat: het inplanteren van actieve gebieden op een halfgeleidersubstraat om minstens eerste, een tweede en ten derde geïntegreerd gebied van overeenkomstige photosensors te verkrijgen; het vormen van een stapel lagen verschillende dikte en r i lagen over photosensors om een interferential filter voor bovengenoemde photosensors te verstrekken. De stapel wordt verkregen door een deposito van een eerste oxydestapel met inbegrip van eerste, een tweede en derde oxydelaag over minstens één photosensor; voorts wordt deze derde oxydelaag verkregen door een depositostap van een beschermende undoped premetal diëlektrische laag.
