A semiconductor light detecting device has a light absorbing layer; and a
pn junction, carriers generated by the light absorbing layer absorbing the
light in a light detecting region being detected as a photoelectric
current through a depletion layer provided by applying a backward voltage
to the pn junction, wherein the light detecting region in the light
absorbing layer is all depleted in a slate where an operating voltage is
applied.
Приспособление полупроводника светлое обнаруживая имеет светлый absorbing слой; и соединение pn, несущие произведенные светлым absorbing слоем поглощая свет в светлой обнаруживая зоне будучи обнаруживанным как светоэлектрическое течение через слой расхода обеспечило путем придавать отсталое напряжение тока к соединению pn, при котором светлая обнаруживая зона в светлом absorbing слое совсем истощена в шифере где рабочий потенциал приложен.
