An existent DRAM memory cell comprises transistors as a switch and
capacitors for accumulating storage charges in which the height of the
capacitor has been increased more and more along with micro
miniaturization, which directly leads to increase in the manufacturing
cost. The invention of the present application provides a semiconductor
memory device of a basic constitution in which a memory cell array having
plural memory cells disposed on a semiconductor substrate and word lines
and data lines for selecting the memory cells and a peripheral circuit at
the periphery of the memory cell array wherein the memory cell comprises a
multi-layer of a conductive layer, an insulating layer and plural
semiconductor layers containing impurities, and a potential can be applied
to the insulating layer enabling the tunneling effect. The invention of
the present application concerns a memory cell not requiring capacitor and
capable of being formed in simple steps.
Ένα υπάρχον κύτταρο μνήμης DRAM περιλαμβάνει τις κρυσταλλολυχνίες ως διακόπτη και τους πυκνωτές για τη συσσώρευση των δαπανών αποθήκευσης στις οποίες το ύψος του πυκνωτή έχει αυξηθεί όλο και περισσότερο μαζί με τη μικρογράφηση μικροϋπολογιστών, η οποία οδηγεί άμεσα στην αύξηση στο κόστος παραγωγής. Η εφεύρεση της παρούσας εφαρμογής παρέχει μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών ενός βασικού συντάγματος στο οποίο μια σειρά κυττάρων μνήμης που έχει τα κύτταρα μνήμης πληθυντικού διέθεσε στις γραμμές ημιαγωγών υποστρωμάτων και λέξης και τις γραμμές στοιχείων για την επιλογή των κυττάρων μνήμης και ενός απομακρυσμένου κυκλώματος στην περιφέρεια της σειράς κυττάρων μνήμης όπου το κύτταρο μνήμης περιλαμβάνει έναν πολυστρωματικό των στρωμάτων ημιαγωγών ενός αγώγιμου στρώματος, ενός στρώματος μόνωσης και πληθυντικού που περιέχουν τις ακαθαρσίες, και μια δυνατότητα μπορεί να εφαρμοστεί στο στρώμα μόνωσης επιτρέποντας τη να ανοίξει επίδραση. Η εφεύρεση της παρούσας εφαρμογής αφορά ένα κύτταρο μνήμης που δεν απαιτεί τον πυκνωτή και ικανός της διαμόρφωσης στα απλά βήματα.
