Power component bearing interconnections

   
   

A power component formed in an N-type silicon substrate delimited by a P-type wall, having a lower surface including a first P-type region connected to the wall, and an upper surface including a second P-type region, a conductive layer extending above the substrate between the second region and the wall. The component includes a third N-type region of high doping level formed in the substrate under the portion of the layer substantially halfway between the external periphery of the second region and the internal periphery of the wall. This third region is contacted by a field plate extending on either side of the third region in the direction of the wall and of the third region.

Een machtscomponent die in een n-Type siliciumsubstraat wordt gevormd dat door p-Type muur wordt afgebakend, die een lagere oppervlakte met inbegrip van eerste p-Type een gebied een heeft dat met de muur wordt verbonden, en een hogere oppervlakte met inbegrip van tweede p-Type gebied, een geleidende laag zich boven het substraat tussen het tweede gebied een uitbreiden en de muur die. De component omvat derde n-Type gebied dat van hoogte een niveau smeert dat in het substraat onder het gedeelte van de laag wezenlijk halverwege tussen de externe periferie van het tweede gebied en de interne periferie van de muur wordt gevormd. Dit derde gebied wordt gecontacteerd door een gebiedsplaat aan beide kanten zich uitbreidt van het derde gebied in de richting van de muur en van het derde gebied.

 
Web www.patentalert.com

< System with meshed power and signal buses on cell array

< Microwave field effect transistor structure

> Optical device for converting incident light into a second harmonic

> Metal gate engineering for surface p-channel devices

~ 00149