Disclosed is a semiconductor device comprising a substrate, a first region
provided on the substrate and comprising a first insulating portion which
includes an insulating film having a relative dielectric constant of at
most 3.0 and a conductive portion which is provided in the first
insulating portion, a second region provided on the substrate, located
adjacent to the first region in a direction parallel to a major surface of
the substrate and comprising a second insulating portion which is located
adjacent to the first insulating portion in the direction and which
includes no insulating film having a relative dielectric constant of at
most 3.0, and a pad provided on the second region and electrically
connected to the conductive portion.
Показан прибора на полупроводниках состоя из субстрата, первой зоны обеспеченной на субстрате и состоя из первой изолируя части которая вклюает изолируя пленку имея относительную диэлектрическую константу на большой части 3.0 и проводной части которой обеспечивает в первой изолируя части, второй зоне обеспеченной на субстрате, расположенном за первой зоной в направлении параллельном к главной поверхности электрически соединенного субстрата и состоять из второй изолируя части которая устроены за первой изолируя частью в направлении и которая не вклюает никакую изолируя пленку имея относительную диэлектрическую константу на большой части 3.0, и пусковой площадке обеспеченного на второй зоне и к проводная часть.
