The invention relates to a power semiconductor module, in particular a
power converter module, with a base plate or for direct installation on a
heat sink or other cooling body or means for cooling. The power
semiconductor module includes, at least one power semiconductor component,
and at least one insulating substrate on whose first surface a metallic
layer is provided. A carbon-based layer (including Carbon nano-tubes) is
used for at least one of a thermal and a partly electrical contacting, on
at least one of the one side for contacting the power semiconductor
component with the metallic layer and, (in an alternate embodiment) on the
other side to connect the substrate with the heat sink or cooling body.
A invenção relaciona-se a um módulo do semicondutor do poder, no detalhe um módulo do conversor de poder, com uma placa baixa ou para a instalação direta em um dissipador de calor ou o outro corpo refrigerando ou os meios para refrigerar. O módulo do semicondutor do poder inclui, ao menos um componente do semicondutor do poder, e ao menos uma carcaça isolando cuja na primeira superfície um a camada metálica é fornecido. Uma camada carbono-baseada (nano-tubos including do carbono) é usada para ao menos um de um thermal e de contatar em parte elétrico, ao menos em um do um lado para contatar o componente do semicondutor do poder com a camada metálica e, (em uma incorporação alterna) no outro lado para conectar a carcaça com o dissipador de calor ou refrigerar o corpo.
