A method of forming a narrow isolation structure in a semiconducting
substrate. The isolation structure is a trench that has a bottom and
sidewalls, and that is to be filled with an isolating material. The
isolating material has desired electrical properties and desired chemical
properties, and is substantially reactively grown from the semiconducting
substrate. A precursor material layer is formed on the bottom of the
trench and on the sidewalls of the trench. The precursor material layer
has electrical properties and chemical properties that are substantially
similar to the desired electrical properties and the desired chemical
properties of the isolating material. A substantial portion of the
precursor material layer is removed from the bottom of the trench to
expose the semiconducting substrate at the bottom of the trench, while
leaving a substantial portion of the precursor material layer on the
sidewalls of the trench. The isolating material is reactively grown in the
trench, where the isolating material preferentially grows from the exposed
semiconducting substrate at the bottom of the trench at a first rate. The
precursor material layer at least partially inhibits formation of the
isolating material from the semiconducting substrate at the sidewalls of
the trench. The isolating material forms from the sidewalls of the trench
at a second rate, where the first rate is substantially higher than the
second rate. Thus, by forming a precursor layer that inhibits formation of
the isolation material at the sidewalls of the trench, the isolation
material preferentially grows from the bottom of the trench rather than
expanding sideways from the sidewalls of the trench, which tends to widen
the isolation structure. Because the precursor layer has properties that
are substantially similar to those that are desired in the isolation
material, the precursor layer remains at the sidewalls of the trench near
the edge of the isolation structure. Therefore, the isolation structure
functions as desired, but is narrower than it otherwise would be, if the
precursor layer had not been formed.
Een methode om een smalle isolatiestructuur in een semiconducting substraat te vormen. De isolatiestructuur is een geul die een bodem en zijwanden heeft, en die met een het isoleren materiaal moet worden gevuld. Het het isoleren materiaal heeft elektrische eigenschappen en gewenste chemische eigenschappen, gewenst en wezenlijk reactief van het semiconducting substraat gekweekt. Een voorloper materiële laag wordt gevormd op de bodem van de geul en op de zijwanden van de geul. De voorloper materiële laag heeft elektrische eigenschappen en chemische eigenschappen die aan de gewenste elektrische eigenschappen en de gewenste chemische eigenschappen van het het isoleren materiaal wezenlijk gelijkaardig zijn. Een wezenlijk gedeelte van de voorloper materiële laag wordt verwijderd uit de bodem van de geul om het semiconducting substraat bij de bodem van de geul bloot te stellen, terwijl het verlaten van een wezenlijk gedeelte van de voorloper materiële laag op de zijwanden van de geul. Het het isoleren materiaal wordt reactief gekweekt in de geul, waar het het isoleren materiaal bij voorkeur van het blootgestelde semiconducting substraat bij de bodem van de geul aan een eerste tarief groeit. De voorloper materiële laag remt minstens gedeeltelijk vorming van het het isoleren materiaal van het semiconducting substraat bij de zijwanden van de geul. De het isoleren materiële vormen van de zijwanden van de geul aan een tweede tarief, waar het eerste tarief wezenlijk hoger is dan het tweede tarief. Aldus, door een voorloperlaag te vormen die vorming van het isolatiemateriaal bij de zijwanden van de geul remt, groeit het isolatiemateriaal bij voorkeur van de bodem van de geul eerder dan zich het uitbreiden zijdelings van de zijwanden van de geul, die neigt om de isolatiestructuur te verwijden. Omdat de voorloperlaag eigenschappen heeft die aan die wezenlijk gelijkaardig zijn die in het isolatiemateriaal worden gewenst, blijft de voorloperlaag bij de zijwanden van de geul dichtbij de rand van de isolatiestructuur. Daarom functioneert de isolatiestructuur zoals gewenst, maar is smaller dan het anders zou zijn, als de voorloperlaag niet was gevormd.
