A light emitting device is provided which can prevent a change in gate
voltage due to leakage or other causes and at the same time can prevent
the aperture ratio from lowering. A capacitor storage is formed from a
connection wiring line, an insulating film, and a capacitance wiring line.
The connection wiring line is formed over a gate electrode and an active
layer of a TFT of a pixel, and is connected to the active layer. The
insulating film is formed on the connection wiring line. The capacitance
wiring line is formed on the insulating film. This structure enables the
capacitor storage to overlap the TFT, thereby increasing the capacity of
the capacitor storage while keeping the aperture ratio from lowering.
Accordingly, a change in gate voltage due to leakage or other causes can
be avoided to prevent a change in luminance of an OLED and flickering of
screen in analog driving.
On fournit un dispositif d'émission léger qui peut empêcher un changement de la tension de porte due à la fuite ou à d'autres causes et en même temps peut empêcher le rapport d'ouverture de s'abaisser. Une mémoire à condensateur est formée d'une ligne de câblage de raccordement, d'un film isolant, et d'une ligne de câblage de capacité. La ligne de câblage de raccordement est formée au-dessus d'une électrode de porte et d'une couche active d'un TFT d'un Pixel, et est reliée à la couche active. Le film isolant est formé sur la ligne de câblage de raccordement. La ligne de câblage de capacité est formée sur le film isolant. Cette structure permet à la mémoire à condensateur de recouvrir le TFT, augmentant de ce fait la capacité de la mémoire à condensateur tout en gardant le rapport d'ouverture de l'abaissement. En conséquence, un changement de la tension de porte due à la fuite ou d'autres causes peut être évité pour empêcher un changement de luminance d'un OLED et de clignoter de l'écran dans la conduite analogue.
