A trench capacitor, in particular for use in a semiconductor memory cell,
has a trench formed in a substrate; an insulation collar formed in an
upper region of the trench; an optional buried plate in the substrate
region serving as a first capacitor plate; a dielectric layer lining the
lower region of the trench and the insulation collar as a capacitor
dielectric; a conductive second filling material filled into the trench as
a second capacitor plate; and a buried contact underneath the surface of
the substrate. The substrate has, underneath its surface in the region of
the buried contact, a doped region introduced by implantation, plasma
doping and/or vapor phase deposition. A tunnel layer, in particular an
oxide, nitride or oxinitride layer, is preferably formed at the interface
of the buried contact. A method for producing a trench capacitor is also
provided.
Um capacitor da trincheira, no detalhe para o uso em uma pilha de memória do semicondutor, tem uma trincheira dada forma em uma carcaça; um colar da isolação deu forma em uma região superior da trincheira; uma placa enterrada opcional no serving da região da carcaça como uma primeira placa do capacitor; uma camada dieléctrica que alinha a região mais baixa da trincheira e do colar da isolação como um dielétrico do capacitor; um segundo material de enchimento condutor encheu-se na trincheira como uma segunda placa do capacitor; e um contato enterrado debaixo da superfície da carcaça. A carcaça tem, debaixo de sua superfície na região do contato enterrado, em uma região doped introduzida pelo implantation, em doping do plasma e/ou no deposition da fase do vapor. Uma camada do túnel, no detalhe um a camada do óxido, do nitride ou do oxinitride, é dada forma preferivelmente na relação do contato enterrado. Um método para produzir um capacitor da trincheira é fornecido também.
