Light shield cum gap fill scheme for microdisplay backplane fabrication

   
   

A light shield apparatus and formation method for preventing the transmission of incident light towards active devices of the display. In one embodiment, the present invention recites forming a plurality of metal pixels wherein adjacent ones of the plurality of metal pixels have a gap region disposed therebetween. The present embodiment then recites depositing a light absorbing antireflective coating material within the gap region to form a light shield such that transmission of incident light through the gap region towards underlying active devices is reduced. Hence, the present embodiments also reduce problems associated with Liquid Crystal alignment difficulty and passivation integrity (cracking of thin passivation). Next, the present embodiment deposits a thin composite passivation layer above the plurality of metal pixels and the antireflective coating material. As a result, the antireflective coating material disposed in the gap region reduces the transmission of incident light between the metal pixels and towards the active devices of the display and alleviates problems associated with excessive step height between metal pixels.

Un método ligero del aparato y de la formación del protector para prevenir la transmisión del incidente se enciende hacia los dispositivos activos de la exhibición. En una encarnación, la actual invención recita la formación de una pluralidad de pixeles del metal en donde los adyacentes de la pluralidad de pixeles del metal tienen una región del boquete dispuesta therebetween. La actual encarnación entonces recita depositar una luz que absorbe el material de capa antireflective dentro de la región del boquete para formar un protector ligero tales que la transmisión de la luz del incidente con la región del boquete hacia los dispositivos activos subyacentes está reducida. Por lo tanto, las actuales encarnaciones también reducen los problemas asociados a la dificultad y a la integridad cristalinas líquidas de la pasivación (el agrietarse de la alineación de la pasivación fina). Después, la actual encarnación deposita una capa compuesta fina de la pasivación sobre la pluralidad de pixeles del metal y del material de capa antireflective. Consecuentemente, el material de capa antireflective dispuesto en la región del boquete reduce la transmisión de la luz del incidente entre los pixeles del metal y hacia los dispositivos activos de la exhibición y alivia los problemas asociados a altura excesiva del paso entre los pixeles del metal.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device with reduced parasitic capacitance between impurity diffusion regions

< Light-emitting device

> Method for generating mid-infrared light

> Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices

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