A hetero-bipolar transistor according to the present invention enhances
reliability that relates to the breaking of wiring metal. The transistor
comprises a semiconductor substrate, a sub-collector layer formed on a
(100) surface of the substrate, a collector mesa formed on the
sub-collector layer, and an emitter contact layer. The transistor further
includes a collector electrode and wiring metal connected to the collector
electrode. The edge of the sub-collector layer forms a step S, the angle
of which is in obtuse relative to the substrate. Therefore, the wiring
metal traversing the step S bends in obtuse angle at the step S, thus
reducing the breaking of the wiring metal.
Μια χετερο-διπολική κρυσταλλολυχνία σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση ενισχύει την αξιοπιστία που αφορά το σπάσιμο της καλωδίωσης του μετάλλου. Η κρυσταλλολυχνία περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, ένα στρώμα υπο--συλλεκτών που διαμορφώνονται σε μια (100) επιφάνεια του υποστρώματος, ένα mesa συλλεκτών που διαμορφώνονται στο στρώμα υπο--συλλεκτών, και ένα στρώμα επαφών εκπομπών. Η κρυσταλλολυχνία περιλαμβάνει περαιτέρω ένα ηλεκτρόδιο συλλεκτών και ένα μέταλλο καλωδίωσης που συνδέονται με το ηλεκτρόδιο συλλεκτών. Η άκρη του στρώματος υπο--συλλεκτών διαμορφώνει ένα βήμα s, η γωνία του οποίου είναι σε οξύ σχετικά με το υπόστρωμα. Επομένως, το μέταλλο καλωδίωσης που διαπερνά το βήμα s κάμπτει στην οξεία γωνία στο βήμα s, μειώνοντας κατά συνέπεια το σπάσιμο του μετάλλου καλωδίωσης.
