A giant magneto-resistive effect element includes a lamination layer
structure portion (10) in which at least a free layer (4) the
magnetization of which is rotated in response to an external magnetic
field, a fixed layer (2), an antiferromagnetic layer (1) for fixing the
magnetization of the fixed layer (2) and a nonmagnetic layer (3)
interposed between the free layer (4) and the fixed layer (2) are
laminated one on top of another. A sense current flows to substantially a
lamination layer direction of the lamination layer structure portion (10)
and the lamination layer structure portion (10) has disposed thereon an
electric conduction restricting layer (S) in which very small electric
conduction areas are dispersedly formed across a path of said sense
current, whereby an element resistance can be increased and the amount of
magneto-resistance change can be increased. Thus, a magneto-resistive
effect element, a magnetic sensor using magneto-resistive effect, a
magnetic head using magneto-resistive effect and a magnetic memory become
able to increase the amount of magneto-resistive change.
Un élément magnétorésistant géant d'effet inclut une partie de structure de couche de stratification (10) dans laquelle au moins une couche libre (4) la magnétisation dont est tourné en réponse à un champ magnétique externe, une couche fixe (2), une couche antiferromagnetic (1) pour fixer la magnétisation de la couche fixe (2) et d'une couche non magnétique (3) a interposé entre la couche libre (4) et la couche fixe (2) sont stratifiées une sur des autres. Un courant de sens coule dans sensiblement une direction de couche de stratification de la partie de structure de couche de stratification (10) et la partie de structure de couche de stratification (10) a disposé là-dessus une couche limitrice de conduction électrique (s) dans laquelle des secteurs électriques très petits de conduction sont dispersedly formés à travers un chemin de ledit courant de sens, par lequel une résistance d'élément puisse être augmentée et la quantité de changement de magnétorésistance puisse être augmentée. Ainsi, un élément magnétorésistant d'effet, une sonde magnétique en utilisant l'effet magnétorésistant, une tête magnétique en utilisant l'effet magnétorésistant et une mémoire magnétique deviennent capables augmenter la quantité de changement magnétorésistant.
