Data retention of a ferroelectric transistor is extended by intecting holes
or electrons into the ferroelectric transistor when power is removed. The
ferroelectric FET has a mechanism to trap charge in a buffer dielectric
layer or in the ferroelectric layer sandwiched between a top electrode and
a silicon substrate. The state of polarization is detected before power is
removed from the ferroelectric FET. Charge is injected into the
ferroelectric FET to produce a first threshold voltage when a first
polarization state is determined before power is removed. Charge is
removed from the ferroelectric FET to produce a second threshold voltage
when a second polarization state is determined before power is removed.
When the ferroelectric FET is powered up again, the state of charge
injected is determined. The ferroelectric FET is then polarized to
correspond to a first threshold voltage when the charge state
corresponding to the first threshold is determined. The ferroelectric FET
is polarized to correspond to a second threshold voltage when a charge
state corresponding to the second threshold is determined.
Datenzurückhalten eines ferroelectric Transistors wird verlängert, indem man Bohrungen oder Elektronen in den ferroelectric Transistor intecting, wenn Energie entfernt wird. Der ferroelectric FET hat eine Einheit, zum der Aufladung in einer dielektrischen Schicht des Puffers oder in der ferroelectric Schicht einzuschließen, die zwischen einer oberen Elektrode und einem Silikonsubstrat sandwiched ist. Der Zustand der Polarisation wird ermittelt, bevor Energie vom ferroelectric FET entfernt wird. Aufladung wird in den ferroelectric FET eingespritzt, um eine erste Schwelle Spannung zu produzieren, wenn ein erster Polarisationszustand festgestellt wird, bevor Energie entfernt wird. Aufladung wird vom ferroelectric FET entfernt, um eine zweite Schwelle Spannung zu produzieren, wenn ein zweiter Polarisationszustand festgestellt wird, bevor Energie entfernt wird. Wenn der ferroelectric FET herauf wieder angetrieben wird, wird der Zustand der Aufladung eingespritzt festgestellt. Der ferroelectric FET wird dann polarisiert, um einer ersten Schwelle Spannung zu entsprechen, wenn der Aufladung Zustand, der der ersten Schwelle entspricht, festgestellt wird. Der ferroelectric FET wird polarisiert, um einer zweiten Schwelle Spannung zu entsprechen, wenn ein Aufladung Zustand, der der zweiten Schwelle entspricht, festgestellt wird.
