In a method of manufacturing a semiconductor device of STI structure, a
semiconductor structure in which an insulating material layer is formed on
a conductive layer which becomes a gate electrode, is prepared. Etching is
conducted to the semiconductor structure to form a trench extending from
the insulating material layer into the semiconductor substrate in
accordance with a pattern of a resist film (not shown) covering an element
region. Then, the insulating material layer is backed off by wet etching
or the like and the gate electrode is processed while using the insulating
material layer as a mask. As a result, it is possible to make the gate
electrode smaller in size than the element region and to form a trench
upper portion to be wider than the trench lower portion in the depth
direction of the trench, thereby providing a good shape of the insulator
embedded in the trench by depositing the insulator.
Σε μια μέθοδο μια συσκευή ημιαγωγών της δομής ΕΤΠ, μια δομή ημιαγωγών στην οποία ένα υλικό στρώμα μόνωσης διαμορφώνεται σε ένα αγώγιμο στρώμα που γίνεται ένα ηλεκτρόδιο πυλών, προετοιμάζεται. Η χαρακτική διευθύνεται στη δομή ημιαγωγών για να διαμορφώσει μια τάφρο εκτεινόμενος από το υλικό στρώμα μόνωσης στο υπόστρωμα ημιαγωγών σύμφωνα με ένα σχέδιο αντιστέκεται στην ταινία (που δεν παρουσιάζεται) που καλύπτει μια περιοχή στοιχείων. Κατόπιν, το υλικό στρώμα μόνωσης υπαναχωρείται από την υγρή χαρακτική ή τους ομοίους και το ηλεκτρόδιο πυλών υποβάλλεται σε επεξεργασία χρησιμοποιώντας το υλικό στρώμα μόνωσης ως μάσκα. Κατά συνέπεια, είναι δυνατό να κατασταθεί το ηλεκτρόδιο πυλών μικρότερο στο μέγεθος από την περιοχή στοιχείων και να διαμορφωθεί μια ανώτερη μερίδα τάφρων για να είναι ευρύτερο από τη χαμηλότερη μερίδα τάφρων στην κατεύθυνση βάθους της τάφρου, με αυτόν τον τρόπο παρέχοντας μια καλή μορφή του μονωτή που ενσωματώνεται στην τάφρο με την κατάθεση του μονωτή.
