An SCH laser device fabricated in the (Al,Ga,In)P system has an active
region disposed within an optical guiding region. The optical guiding
region is disposed between an n-doped cladding region and a p-doped
cladding region. The laser device is provided with optical confinement
layers, which are disposed at the interfaces between the optical guiding
region and the cladding regions. The optical confinement regions produce
increased confinement of the optical field, and reduce the penetration of
the optical field into the cladding regions. The optical confinement
region on the p-side of the device also serves as a potential barrier to
the transport of electrons into the p-doped cladding region. The cladding
regions have a low Al mole fraction, so that they have a direct bandgap.
This prevents carrier loss by trapping in the DX level in the cladding
regions. In an alternative embodiment, the cladding regions have a graded
composition, with their composition at the interface with the optical
confinement layers being such that the DX level in the cladding regions is
degenerate with the X-conduction band in the optical confinement layers.
Eine SCH Laser Vorrichtung fabriziert in (Al, Ga, In)P System hat eine aktive Region, die innerhalb einer optischen leitenden Region abgeschaffen wird. Die optische leitende Region wird zwischen einer n-lackierten Umhüllungregion und einer p-lackierten Umhüllungregion abgeschaffen. Die Laser Vorrichtung wird mit optischen Beschränkungschichten versehen, die an den Schnittstellen zwischen der optischen leitenden Region und den Umhüllungregionen abgeschaffen werden. Die optischen Beschränkungregionen produzieren erhöhte Beschränkung vom optischen auffangen und verringern den Durchgriff vom optischen auffangen in die Umhüllungregionen. Die optische Beschränkungregion auf der Pseite der Vorrichtung dient auch als Potentialschwelle zum Transport der Elektronen in die p-lackierte Umhüllungregion. Die Umhüllungregionen haben einen niedrigen Almolebruch, damit sie ein direktes bandgap haben. Dieses verhindert Trägerverlust, indem es im DX Niveau in den Umhüllungregionen einschließt. In einer alternativen Verkörperung haben die Umhüllungregionen einen geordneten Aufbau, mit ihrem Aufbau an der Schnittstelle mit den optischen Beschränkungschichten, die so sind, daß das DX Niveau in den Umhüllungregionen mit dem X-Übertragung Band in der optischen Beschränkung überlagert degeneriert ist.
