A method of forming a programmable conductor memory cell array is disclosed
wherein metal and chalcogenide glass are co-sputtered to fill an array of
cell vias in a prepared substrate. The prepared substrate is heated above
room temperature before the metal and chalcogenide glass film is
deposited, and the heating is maintained throughout the deposition. The
resulting metal/chalcogenide glass film has good homogeneity, a desired
ratio of components, and has a regular surface.
Une méthode de former une rangée programmable de cellules de mémoire de conducteur est révélée où le métal et le verre de chalcogenide Co-sont pulvérisés pour remplir rangée de vias de cellules dans un substrat préparé. Le substrat préparé est chauffé au-dessus de la température ambiante avant le métal et le film de verre de chalcogenide est déposé, et le chauffage est maintenu dans tout le dépôt. Le film de verre résultant de metal/chalcogenide a la bonne homogénéité, un rapport désiré des composants, et a une surface régulière.
