The present invention relates to a method for improving speed and
increasing performance in a multi-port register file memory or SRAM
including at least one storage element and other circuitry that operate
synchronously or asynchronously. The method comprises differentially
sensing a small voltage swing in the multi-port memory using a two-stage
analog-style sense amplifier including at least one trip-level-shifted
inverter device.
Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια μέθοδο για την ταχύτητα και την απόδοση σε μια μνήμη αρχείων καταλόγων πολυ-λιμένων ή SRAM συμπεριλαμβανομένου τουλάχιστον ενός στοιχείου αποθήκευσης και άλλων στοιχείων κυκλώματος που λειτουργούν συγχρόνως ή ασύγχρονα. Η μέθοδος περιλαμβάνει διαφορικά να αισθανθεί μια μικρή ταλάντευση τάσης στη μνήμη πολυ-λιμένων χρησιμοποιώντας έναν δύο σταδίων ενισχυτή αίσθησης αναλογικός-ύφους συμπεριλαμβανομένης τουλάχιστον μιας ταξίδι-ισόπεδος-μετατοπισμένης συσκευής αναστροφέων.