Method for copper CMP using polymeric complexing agents

   
   

The invention provides a method of polishing a substrate comprising a metal layer comprising copper. The method comprises the steps of (i) providing a chemical-mechanical polishing system comprising a liquid carrier, a polishing pad, an abrasive, and a negatively-charged polymer or copolymer, (ii) contacting the substrate with the poloshing system, and (iii) abrading at least a portion of the substrate to polish the metal layer of the substrate. The negatively-charged polymer or copolymer comprises one or more monomers selected from sulfonic acids, sulfonates, sulfates, phosphonic acids, phosphonates, and phosphates, has a molecular weight of about 20,000 g/mol or more, and coats at least a portion of the abrasive such that the abrasive has a zeta potential value that is lowered upon interaction of the negatively-charged polymer or copolymer with the abrasive.

L'invention fournit une méthode de polir un substrat comportant une couche en métal comportant le cuivre. La méthode comporte les étapes (i) fournissant derrière un système de polissage produit-mécanique comportant un porteur liquide, une garniture de polissage, un abrasif, et un polymère ou un copolymère négatif-chargé, (ii) entrant en contact avec le substrat le système poloshing, et (iii) rodant au moins une partie du substrat pour polir la couche en métal du substrat. Le polymère ou le copolymère négatif-chargé comporte un ou plusieurs monomères choisis parmi les acides sulfoniques, les sulfonates, les sulfates, les acides phosphoniques, les phosphonates, et les phosphates, a un poids moléculaire d'environ 20.000 g/mol ou de plus, et des manteaux au moins une partie de l'abrasif tels que l'abrasif a une valeur potentielle de zéta qui est abaissée sur l'interaction du polymère ou du copolymère négatif-chargé avec l'abrasif.

 
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