The present invention is characterized by including an electrode formed on
surface of a semiconductor substrate, wherein said electrode includes a
barrier layer consisting of amorphous or microcrystal expressed by the
following expression:
M1.sub.x M2.sub.1-x
(0
La présente invention est caractérisée en incluant une électrode formée sur la surface d'un substrat de semi-conducteur, où ladite électrode inclut se composer de couche-barrière amorphe ou microcrystal exprimé par l'expression suivante : M1.sub.x M2.sub.1-x (0
