A sense amplifier structure for multi-level non-volatile memories reads the
contents of the memory cells. In particular, a current drawn by a memory
cell to be read is compared to a current drawn by a reference cell through
a sense amplifier that has one input terminal connected to a circuit node
to which said currents are led. Advantageously, the currents are compared
at both inputs of the sense amplifier by connecting a second input of said
amplifier to a circuit node to which said currents are led, with opposite
signs. The method enhances the read precision of the sense amplifier for a
given data acquisition time by doubling the differential input voltage.
Una estructura del amplificador del sentido para las memorias permanentes de niveles múltiples lee el contenido de las células de memoria. En detalle, una corriente dibujada por una célula de memoria que se leerá se compara a una corriente dibujada por una célula de la referencia a través de un amplificador del sentido que tenga un terminal entrado conectado con un nodo del circuito a el cual se conduzcan las corrientes dichas. Ventajoso, las corrientes son comparadas en ambas entradas del amplificador del sentido conectando una segunda entrada del amplificador dicho con un nodo del circuito a el cual se conduzcan las corrientes dichas, con las muestras opuestas. El método realza la precisión leída del amplificador del sentido por un tiempo dado de la adquisición de datos doblando el voltaje de entrada diferenciada.
