Fault tolerant apparatus and method for determining a revolution rate of a gear

   
   

An apparatus comprises an edge detector, a memory and a pulse-input engine. The edge detector is configured to receive an input signal and a counter signal. The edge detector is further configured to send a set of time values based on the input signal and the counter signal. Each time value from the set of time values is uniquely associated with a detected edge transition from the input signal. The memory is coupled to the edge detector. The memory is configured to receive from the edge detector the set of time values. The memory is configured to store the set of time values. The pulse-input engine is coupled to the memory. The pulse-input engine is configured to measure a set of pulse-to-pulse delays based on the set of the time values stored in the memory.

Un appareil comporte un détecteur de bord, une mémoire et un moteur d'impulsion-entrée. Le détecteur de bord est configuré pour recevoir un signal d'entrée et un contre- signal. Le détecteur de bord est encore configuré pour envoyer un ensemble de valeurs de temps basées sur le signal d'entrée et le contre- signal. Chaque fois la valeur de l'ensemble de valeurs de temps est uniquement associée à une transition détectée de bord du signal d'entrée. La mémoire est couplée au détecteur de bord. La mémoire est configurée pour recevoir du détecteur de bord que l'ensemble de temps évalue. La mémoire est configurée pour stocker l'ensemble de valeurs de temps. Le moteur d'impulsion-entrée est couplé à la mémoire. Le moteur d'impulsion-entrée est configuré pour mesurer un ensemble d'impulsion-à-impulsion retarde basé sur l'ensemble des valeurs de temps stockées dans la mémoire.

 
Web www.patentalert.com

< Method and system for turbomachinery surge detection

< Eddy current data union

> Method and system for capturing, managing, and disseminating manufacturing knowledge

> Method of forming an array substrate for an in-plane switching liquid crystal display device having an alignment film formed directly on a thin film transistor

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