Transverse junction field effect transistor

   
   

A transverse JFET of SiC, employing an n-type SiC substrate and comprising a channel region having carriers of high mobility, bringing a high yield is obtained. This transverse JFET comprises an n-type SiC substrate (1n), a p-type SiC film (2) formed on the right face of the n-type SiC substrate, an n-type SiC film (3), including a channel region (11), formed on the p-type SiC film, source and drain regions (22, 23) formed on the n-type SiC film separately on both sides of the channel region respectively, and a gate electrode (14) provided in contact with the n-type SiC substrate (1n).

Un JFET transversal de SiC, utilisant un n-type substrat de SiC et comportant une région de canal ayant des porteurs de mobilité élevée, apportant un rendement élevé est obtenu. Ce JFET transversal comporte un n-type le substrat de SiC (1n), un p-type le film de SiC (2) formé sur le visage droit du n-type substrat de SiC, un n-type le film de SiC (3), y compris une région de canal (11), formée sur le p-type film de SiC, source et régions de drain (22, 23) formées sur le n-type film de SiC séparément des deux côtés de la région de canal respectivement, et une électrode de porte (14) a fourni en contact avec le n-type le substrat de SiC (1n).

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor light emitting device having gallium nitride based compound semiconductor layer

< Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element

> Memory structure with a ferroelectric capacitor

> Semiconductor memory including forming beams connecting the capacitors

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