High holding voltage LVTSCR

   
   

In an ESD protection device using a LVTSCR-like structure, the holding voltage is increased by placing the p+ emitter outside the drain of the device, thereby retarding the injection of holes from the p+ emitter. The p+ emitter may be implemented in one or more emitter regions formed outside the drain. The drain is split between a n+ drain and a floating n+ region near the gate to avoid excessive avalanche injection and resultant local overheating.

di dispositivo di protezione di ESD usando una struttura di LVTSCR-like, la tensione della tenuta è aumentata disponendo l'emettitore di p+ fuori dello scolo del dispositivo, quindi ritardante l'iniezione dei fori dall'emettitore di p+. L'emettitore di p+ può essere effettuato in una o più regioni dell'emettitore formate fuori dello scolo. Lo scolo è spaccato fra uno scolo di n+ e una regione di galleggiante di n+ vicino al cancello per evitare l'iniezione eccessiva della valanga ed il surriscaldamento locale di risultante.

 
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