A semiconductor laser device including a light reflecting facet positioned
on a first side of the semiconductor device, a light emitting facet
positioned on a second side of the semiconductor device thereby forming a
resonator between the light reflecting facet and the light emitting facet,
and an active layer configured to radiate light in the presence of an
injection current, the active layer positioned within the resonator. A
wavelength selection structure is positioned within the resonator and
configured to select a spectrum of the light including multiple
longitudinal modes, the spectrum being output from the light emitting
facet. Also, an electrode positioned along the resonator and configured to
provide the injection current, and a tuning current that adjusts a center
wavelength of the spectrum selected by the wavelength selection structure.
Un dispositivo del laser a semiconduttore compreso una sfaccettatura riflettente chiara posizionata da un primo lato del dispositivo a semiconduttore, una sfaccettatura d'emissione chiara posizionata da un secondo lato del dispositivo a semiconduttore quindi che forma un risonatore fra la sfaccettatura riflettente chiara e la sfaccettatura d'emissione chiara e uno strato attivo configurato per irradiare luce in presenza di una corrente di iniezione, lo strato attivo posizionato all'interno del risonatore. Una struttura di selezione di lunghezza d'onda è posizionata all'interno del risonatore ed è configurata per selezionare uno spettro della luce compreso i modi longitudinali multipli, lo spettro che è prodotto dalla sfaccettatura d'emissione chiara. Inoltre, un elettrodo posizionato lungo il risonatore e configurato per fornire la corrente di iniezione e una corrente di sintonia che registra una lunghezza d'onda concenta dello spettro selezionato dalla struttura di selezione di lunghezza d'onda.
