A silicon oxide powder can be continuously prepared by feeding a raw
material powder mixture containing silicon dioxide powder into a reaction
chamber (2) at a temperature of 1,100-1,600.degree. C., to produce a
silicon oxide gas, transferring the silicon oxide gas to a deposition
chamber (11) through a transfer conduit (10) maintained at a temperature
of from higher than 1,000.degree. C. to 1,300.degree. C., causing silicon
oxide to deposit on a substrate (13) which is disposed and cooled in the
deposition chamber, scraping the silicon oxide deposit, and recovering the
deposit in a recovery chamber (18). The method and apparatus is capable of
continuous and stable production of amorphous silicon oxide powder of high
purity.
Un polvo del óxido del silicio puede ser preparado continuamente alimentando una mezcla del polvo de la materia prima que contiene el polvo del dióxido del silicio en un compartimiento de la reacción (2) en una temperatura de 1,100-1,600.degree. C., producir un gas del óxido del silicio, transfiriendo el gas del óxido del silicio a un compartimiento de la deposición (11) a través de un conducto de la transferencia (10) mantenido en una temperatura de de más arriba que 1,000.degree. C. a 1,300.degree. C., haciendo el óxido del silicio depositar en un substrato (13) que se dispone y se refresca en el compartimiento de la deposición, raspando el depósito del óxido del silicio, y recuperando el depósito en un compartimiento de la recuperación (18). El método y el aparato es capaces de la producción continua y estable del polvo amorfo del óxido del silicio de la pureza elevada.
