As the top electrode material of a thin-film electron emitter, a material
having a bandgap wider than that of Si and electrical conductivity is
used. In particular, a conductive oxide such as an SnO.sub.2 or ITO film
and a wide-bandgap semiconductor such as GaN or SiC are employed.
The electron energy loss in a top electrode through which hot electrons
pass can be reduced so as to enhance the electron emission efficiency.
A high emission current can be obtained in the case of the same diode
current as a prior art. In addition, in the case of the same emission
current density as a prior art, a small driving current is enough. A bus
line and driving circuits can be simplified.
Как верхний материал электрода тонкопленочного излучателя электрона, использован материал имея bandgap более широко чем та из кремния и электрической проводимости. В частности, использованы проводная окись such as пленка SnO.sub.2 или ITO и wiroki1-bandgap полупроводник such as GaN или SiC. Потеря энергии электрона в верхнем электроде через горячий пропуск электронов можно уменьшить для того чтобы увеличить эффективность излучения электрона. Высокое течение излучения можно получить в случае такое же течение диода как прежнее искусствоо. In addition, в случае такая же текущая плотность излучения как прежнее искусствоо, малое управляя течение достаточно. Линию шины и управляя цепи можно упростить.
