In one aspect, the present invention is a sensor unit for sensing process
parameters of a process to manufacture an integrated circuit using
integrated circuit processing equipment. In one embodiment, the sensor
unit includes a substrate having a wafer-shaped profile and a first
sensor, disposed on or in the substrate, to sample a first process
parameter. The sensor unit of this embodiment also includes a second
sensor, disposed on or in the substrate, to sample a second process
parameter wherein the second process parameter is different from the first
process parameter. In one embodiment, the sensor unit includes a first
source, disposed on or in the substrate, wherein first source generates an
interrogation signal and wherein the first sensor uses the interrogation
signal from the first source to sample the first process parameter. The
sensor unit may also include a second source, disposed on or in the
substrate, wherein second source generates an interrogation signal and
wherein the second sensor uses the interrogation signal from the second
source to sample the second process parameter. The first sensor and the
first source may operate in an end-point mode or in a real-time mode. In
this regard, the first sensor samples the first parameter periodically or
continuously while the sensor unit is disposed in the integrated circuit
processing equipment and undergoing processing. In one embodiment, the
first sensor is a temperature sensor and the second sensor is a pressure
sensor, a chemical sensor, a surface tension sensor or a surface stress
sensor.
In één aspect, is de onderhavige uitvinding een sensoreenheid voor het ontdekken van procesparameters van een proces om een geïntegreerde schakeling te vervaardigen die het verwerkingsmateriaal met behulp van van geïntegreerde schakelingen. In één belichaming, omvat de sensoreenheid een substraat dat een wafeltje-vormig profiel en een eerste sensor heeft, die op of in het substraat wordt geschikt, een eerste procesparameter te bemonsteren. De sensoreenheid van deze belichaming omvat ook een tweede sensor, die op of in het substraat wordt geschikt, een tweede procesparameter te bemonsteren waarin de tweede procesparameter van de eerste procesparameter verschillend is. In één belichaming, omvat de sensoreenheid een eerste bron, die op of in het substraat wordt geschikt, waarin de eerste bron een ondervragingssignaal produceert en waarin de eerste sensor het ondervragingssignaal uit de eerste bron gebruikt om de eerste procesparameter te bemonsteren. De sensoreenheid kan een tweede bron ook omvatten, die op of in het substraat wordt geschikt, waarin de tweede bron een ondervragingssignaal produceert en waarin de tweede sensor het ondervragingssignaal uit de tweede bron gebruikt om de tweede procesparameter te bemonsteren. De eerste sensor en de eerste bron kunnen op een eindpuntwijze of op een wijze in real time werken. In dit verband, de eerste sensorsteekproeven de eerste parameter periodiek of onophoudelijk terwijl de sensoreenheid in het verwerkingsmateriaal van geïntegreerde schakelingen en het ondergaan van verwerking wordt geschikt. In één belichaming, is de eerste sensor een temperatuursensor en de tweede sensor is een druksensor, een chemische sensor, een sensor van de oppervlaktespanning of een sensor van de oppervlaktespanning.
