A process for purifying octafluorocyclobutane according to the present
invention is characterized by contacting a crude octafluorocyclobutane
containing impurities with an impurity decomposing agent under elevated
temperature and then with an adsorbent to substantially remove the
impurities from the crude octafluorocyclobutane.
According to the purification process or preparation process of
octafluorocyclobutane of the present invention, the impurities such as
fluorocarbon can be substantially removed and a high-purity
octafluorocyclobutane can be easily obtained. The octafluorocyclobutane
obtained by the purification process of the present invention is
substantially free of impurities and therefore, can be used as an etching
or cleaning gas for use in the production process of a semiconductor
device or the like.
Um processo para purifying o octafluorocyclobutane de acordo com a invenção atual é caracterizado contatando um octafluorocyclobutane cru que contem impurezas com um agente decomposing da impureza sob a temperatura elevated e com um adsorbent para remover então substancialmente as impurezas do octafluorocyclobutane cru. De acordo com o processo do purification ou o processo da preparação do octafluorocyclobutane da invenção atual, as impurezas tais como o fluorocarbon podem substancialmente ser removidas e um octafluorocyclobutane high-purity pode fàcilmente ser obtido. O octafluorocyclobutane obtido pelo processo do purification da invenção atual está substancialmente livre das impurezas e, pode conseqüentemente ser usado como um gás gravura a água-forte ou da limpeza para o uso no processo de produção de um dispositivo de semicondutor ou do gosto.
