A camouflaged interconnection for interconnecting two spaced-apart
implanted regions of a common conductivity type in an integrated circuit
or device and a method of forming same. The camouflaged interconnection
comprises a first implanted region forming a conducting channel between
the two spaced-apart implanted regions, the conducting channel being of
the same common conductivity type and bridging a region between the two
spaced-apart regions, and a second implanted region of opposite
conductivity to type, the second implanted region being disposed between
the two spaced-apart implanted regions of common conductivity type and
over lying the conducting channel to camouflage the conducting channel
from reverse engineering.
Μια καλυμμένη διασύνδεση για τη διασύνδεση δύο χωρίζω κατά διαστήματα-χώρια εμφυτευμένων περιοχών ενός κοινού τύπου αγωγιμότητας σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα ή μια συσκευή και μιας μεθόδου το ίδιο πράγμα. Η καλυμμένη διασύνδεση περιλαμβάνει μια πρώτη εμφυτευμένη περιοχή διαμορφώνοντας ένα κανάλι διεύθυνσης μεταξύ των δύο χωρίζω κατά διαστήματα-χώρια εμφυτευμένων περιοχών, το κανάλι διεύθυνσης που είναι του ίδιου κοινού τύπου αγωγιμότητας και που γεφυρώνει μια περιοχή μεταξύ των δύο χωρίζω κατά διαστήματα-χώρια περιοχών, και μια δεύτερη εμφυτευμένη περιοχή της αντίθετης αγωγιμότητας στον τύπο, η δεύτερη εμφυτευμένη περιοχή που διατίθεται μεταξύ των δύο χωρίζω κατά διαστήματα-χώρια εμφυτευμένων περιοχών του κοινού τύπου αγωγιμότητας και πέρα από το κανάλι διεύθυνσης για να καλύψει το κανάλι διεύθυνσης από την αντίστροφη εφαρμοσμένη μηχανική.
